Sinusubukan ng teknolohiya ng NASA upang madagdagan ang resistensya ng electronics sa espasyo

Tulad ng nalalaman mo, ang mga misyon sa espasyo ay hindi nilagyan ng maginoo elektronika, ang uri na karaniwang maaari nating bilhin mula sa mga tindahan dito sa Earth, dahil ang mga aparato ay hindi makatiis sa radiation at rigors ng espasyo. Kailangang idinisenyo ang mga aparato lalo na para sa mga pagpapaandar na kanilang gagampanan at kalasag upang maiwasan ang sumuko sa radiation, na, bilang karagdagan sa pagiging magastos, nagpapabagal sa paglikha ng electronics at nagreresulta sa paglitaw ng mga teknolohiyang hindi kinakailangang paggupit.

Gayunpaman, ang isang koponan ng mga siyentipiko ng NASA ay nagsasagawa ng mga pagsusuri sa mga nanoscale vacuum transistors na maaaring makatulong sa paglitaw ng mga mas teknolohikal na advanced, epektibo at matatag na mga elektronikong aparato para sa pakikilahok sa mga misyon sa espasyo - at siyempre makaligtas sa malupit na mga kondisyon. mula sa kalawakan.

Mga transistor ng vacuum

Ilang dekada na ang nakalilipas, ang industriya ng elektroniko ay nagtatrabaho sa mga tubo ng vacuum sa pag-unlad ng aparato, ngunit ang teknolohiyang ito ay kalaunan ay pinalitan ng mga transistor ng semiconductor, at ngayon bihirang makita natin ang mga tubo na ginagamit. Gayunpaman, pagdating sa pag-unlad ng mga aparato na batay sa espasyo, ang mga tubo ay may maraming mga pakinabang sa mga transistor, tulad ng higit na katatagan sa matinding mga kapaligiran, na pinapayagan ang mga electronics na gumana nang mas mabilis at mas mahusay na proteksyon sa ingay.

Pagkatapos, ang koponan ng NASA ay nagsimulang magtrabaho sa nanoscale vacuum channel transistors na maaaring gawin mula sa mga wafer ng silikon na karbid - o mga semiconductor wafers - gamit ang mga pamamaraan na kasalukuyang ginagamit sa industriya ng electronics. Mas partikular, ang koponan ay nagtatrabaho ng isang proseso na katulad ng ginamit para sa pag-iipon ng mga tinatawag na MOSFET, o metal oxide semiconductor effect effect transistors. Ngunit sa isang pagkakaiba: Sa halip na gumamit ng isang channel ng semiconductor sa pagitan ng kolektor at emitter, tulad ng sa mga MOSFET, gumamit ang mga siyentipiko ng isang walang laman na channel.

Bilang karagdagan, ang isa pang bagay na ginawa ng koponan ay na sa halip na pagpuwesto sa mga transistor nang pahalang, tulad ng sa mga nakaraang pagsubok, ginamit ng mga mananaliksik ang vertical-door silikon-enclosed vacuum nanotransistors at sa gayon nakuha ang mga electron ilipat nang mas mabilis kaysa sa mga semiconductors, dahil, dahil ang channel ay walang laman, ang pagkalat na karaniwang nangyayari sa semiconductor network ay tinanggal.

Mga computer space

Ang resulta ay ang parehong bilis ng operating at ang dalas ng mga aparato na nilagyan ng pagtaas ng system na ito. At ang pagsulong na ito ay makabuluhan, dahil ang paggawa ng ganitong uri ng nanotransistor ay maaaring maging tanyag at magtaas ng mabubuhay na alternatibo para sa pagbuo ng mas mahusay na mga sangkap para sa mga elektronikong aparato.

Sa kaso ng mga nanotransistor na sinuri ng mga mananaliksik ng NASA, sila ay ginawa mula sa 150mm silicon carbide wafers at, natagpuan nila, ang sistema ay may kakayahang makabuluhang mas matagal na katatagan at paglaban sa radiation, na may mga pakinabang. halata para sa mga elektronikong idinisenyo para sa mga misyon ng espasyo o na mapapailalim sa matinding mga kondisyon.

Sinusubukan ng teknolohiya ng NASA upang madagdagan ang resistensya ng electronics sa espasyo sa pamamagitan ng TecMundo